[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310654745.5 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701284A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 倪梁;汪新学;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成多个间隔开的金属催化块；形成覆盖所述金属催化块的导电层；在导电层中形成开口，所述开口的相对侧壁暴露出所述多个金属催化块，所述开口的底部暴露出所述衬底，开口两侧的导电层分别形成第一电极和第二电极；以及在金属催化块的催化作用下，在所述第一电极和第二电极之间形成多根纳米线。本发明还提供一种利用该方法形成的半导体器件，采用本发明的半导体器件的形成方法，形成的纳米线互连概率提高，且尺寸较小，容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成多个间隔开的金属催化块；形成覆盖所述金属催化块的导电层；在导电层中形成开口，所述开口的相对侧壁暴露出所述多个金属催化块，所述开口的底部暴露出所述衬底，开口两侧的导电层分别形成第一电极和第二电极；以及在金属催化块的催化作用下，在所述第一电极和第二电极之间形成多根纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310654745.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
