[发明专利]一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法，具体是利用两步干法刻蚀接触孔，将接触孔先刻蚀至硅表面，然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀，其中最后一步接触孔刻蚀菜单对硅和氧化硅的选择比为1：1，并且刻蚀硅表面约1000埃以上，同时使沟槽侧壁内的氧化硅突出硅表面，最后利用金属形成肖特基接触。本发明旨在解决沟槽肖特基二极管产品漏电大的问题，且能提高产品面内均匀性，降低生产成本，提高产品良率，使其适合规模化量产。

主权项

一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法，其特征在于，主要包括如下步骤：步骤1：参照标准沟槽型肖特基二极管制备工艺，在硅片上形成沟槽并用多晶硅进行填充，然后利用干法刻蚀将沟槽外的多晶硅进行回刻；步骤2：沉积一层层间介质膜，开始形成接触孔；步骤3：利用干法刻蚀工艺，将接触孔先刻蚀至硅表面，然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀；步骤4：刻蚀硅使沟槽内的氧化硅突出硅平面；步骤5：然后沉积一层金属，从而形成肖特基接触；步骤6:最后沉积金属铝并通过光刻，刻蚀工艺形成金属连接。