[发明专利]太赫兹器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310655083.3 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103663360A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡斌;李云舟;朱亦鸣 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太赫兹器件，其特征在于，包括：太赫兹元件，具有入射面和出射面；以及微孔薄膜，微孔薄膜至少覆盖在入射面上，微孔薄膜具有多个微孔单元，微孔单元具有向着太赫兹元件方向自大到小渐变的形状。使用本发明所提供的太赫兹器件能够有效的减少太赫兹波从空气到太赫兹元件由于折射率陡变而产生的菲涅耳反射，从而降低太赫兹能量损耗，达到增透的目的。另外，本发明还提供了制备该太赫兹器件的方法。根据本发明提供的制备方法，由于采用在太赫兹元件表面进行涂膜和热压印法制备，工艺简单，成本较低，适用范围广，不仅能用于硅片涂膜，也能够在其他非硅太赫兹元件表面涂膜。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太赫兹器件，其特征在于，包括：太赫兹元件，具有入射面和出射面；以及微孔薄膜，至少覆盖在所述入射面上，所述微孔薄膜具有多个微孔单元，所述微孔单元具有向着所述太赫兹元件方向自大到小渐变的形状。
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