[发明专利]晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201310655119.8 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701170A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 曾以志;赵杰;宋伟基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成包括伪栅的伪栅结构；在所述伪栅结构露出的衬底中形成源区、漏区；在所述衬底上形成与所述伪栅结构相齐平的层间介质层；干法刻蚀去除所述伪栅结构中的大部分伪栅；对残余的伪栅表面进行第一干法清洗；对残余的伪栅表面进行湿法清洗；对残余的伪栅表面进行第二干法清洗；湿法刻蚀去除残余的伪栅，形成对应伪栅形状的开口；在所述开口中形成栅介质层以及金属栅极。通过第一干法清洗、湿法清洗、第二干法清洗的步骤，将干法刻蚀伪栅后残余伪栅表面的污染物去除，以优化晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成包括伪栅的伪栅结构；在所述伪栅结构露出的衬底中形成源区、漏区；在所述衬底上形成与所述伪栅结构相齐平的层间介质层；干法刻蚀去除所述伪栅结构中的大部分伪栅；对残余的伪栅表面进行第一干法清洗；对残余的伪栅表面进行湿法清洗；对残余的伪栅表面进行第二干法清洗；湿法刻蚀去除残余的伪栅，形成对应伪栅形状的开口；在所述开口中形成栅介质层以及金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
