[发明专利]VDMOS场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种VDMOS场效应晶体管及其形成方法，其中VDMOS场效应晶体管的形成方法包括：提供具有第一类型掺杂的基底；在基底形成第一、第二沟槽；在第一沟槽侧壁形成第一绝缘层，在第二沟槽侧壁形成第二绝缘层；在第一沟槽填充具有第二类形掺杂第一多晶硅层，在第二沟槽填充具有第二类形掺杂第二多晶硅层；在第一多晶硅层下的基底形成具有第二类型掺杂的第一掩埋层，在第二多晶硅层下的基底形成具有第二类型掺杂的第二掩埋层；对第一、第二多晶硅层之间的基底掺杂形成第一阱区；在第一阱区形成第二阱区；在第一阱区形成第一栅极；在第二阱区形成第一源极和在第一多晶硅层上表面形成第一漏极。本发明技术方案无需外延生长过程，成本较低。

主权项

一种VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一类型掺杂的基底；在所述基底中形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽侧壁形成第一绝缘层，和在所述第二沟槽侧壁形成第二绝缘层；在所述第一沟槽中填充满具有第二类型掺杂的第一多晶硅层，和在所述第二沟槽中填充满具有第二类型掺杂的第二多晶硅层，所述第二类型掺杂和第一类型掺杂相反；在所述第一多晶硅层下的基底中形成具有第二类型掺杂的第一掩埋层，和在所述第二多晶硅层下的基底中形成具有第二类型掺杂的第二掩埋层，所述第一掩埋层和第一多晶硅层接触，所述第一掩埋层和第二掩埋层接触，所述第二掩埋层和第二多晶硅层接触；对所述第一多晶硅层和第二多晶硅层之间的基底部分进行第二类型掺杂，形成第一阱区；在所述第一阱区形成具有第一类型掺杂的第二阱区，所述第二阱区为第一阱区所包围；在所述第二阱区和第一多晶硅层之间形成第一栅极，所述第二阱区部分伸入至第一栅极下；在所述第一栅极一侧的第二阱区中形成第一源极，和在所述第一多晶硅层上表面形成第一漏极。