[发明专利]一种硅酸铝镓铌钙压电晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201310655286.2 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104695017A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 熊开南;郑燕青;涂小牛;林全明;李亚乔;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅酸铝镓铌钙压电晶体及其制备方法。所述晶体的化学通式为Ca3NbAl(3-x)GaxSi2O14，其中，0.05＜x＜2.5；该晶体具有与硅酸镓镧晶体相同的晶体结构，属空间群P321、点群32。本发明采用提拉生长法制备所述晶体。本发明所提供的硅酸铝镓铌钙压电晶体兼具优异的压电性能、良好的结晶性能、成本较低廉、易于生长大尺寸晶体等优点，可用于制作声表面波、声体波压电器件及高温压电元件等，具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸铝 镓铌钙 压电 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅酸铝镓铌钙压电晶体，其特征在于：其化学通式为Ca3NbAl(3‑x)GaxSi2O14，其中，0.05＜x＜2.5；所述晶体具有与硅酸镓镧晶体相同的晶体结构，属空间群P321、点群32。
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