[发明专利]用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物有效
| 申请号： | 201310656389.0 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103911156B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 金童基;田玹守;郑敬燮 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杨黎峰;石磊 |
| 地址： | 韩国全罗*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物。所述用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物包括硝酸、盐酸、无机酸盐和水，所述组合物能够快速且均匀地蚀刻所述金属氧化物层（透明的氧化物半导体），且制备简单、容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 氧化物 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1.一种用于薄膜晶体管的金属氧化物半导体活性层的蚀刻剂组合物，包括：以所述蚀刻剂组合物的总重量计，1重量％至15重量％的硝酸HNO3；以所述蚀刻剂组合物的总重量计，5重量％至20重量％的盐酸HCl；以所述蚀刻剂组合物的总重量计，1重量％至10重量％的无机酸盐；和以所述蚀刻剂组合物的总重量计，余量的水，其中，所述无机酸盐包括选自磷酸盐和硫酸盐中的至少一种，其中，所包括的硝酸和盐酸的相对比例是1:3至3:1，其中，所述活性层包括Ga‑X‑O层，X为In、Zn或In‑Zn。
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