[发明专利]一种IGZO电晶体制造方法有效
| 申请号： | 201310657960.0 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103700705B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 石龙强;曾志远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人： | 潘中毅,熊贤卿 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供本发明提供一种IGZO电晶体及其制造方法、显示面板，其中IGZO电晶体制造方法包括在基板上制备源/漏极图案层和IGZO图案层；在IGZO沟道处制备保护层；通过等离子处理对所述源/漏电极与IGZO接触区域进行N型掺杂，形成n+IGZO区域；以及制备栅极绝缘层和栅极图案层。本发明所提供的IGZO电晶体及其制造方法、显示面板，能够避免在通过等离子处理对IGZO进行N型掺杂过程中损害IGZO沟道，有助于改善欧姆接触，提高元件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igzo 电晶体 结构 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种IGZO电晶体制造方法，包括：在基板上制备源/漏极图案层；在所述源/漏极图案层上进行IGZO成膜和涂布光阻；采用半色调光罩对光阻进行曝光，在IGZO沟道处形成保护性光阻；通过等离子处理对所述源/漏电极与IGZO接触区域进行N型掺杂，形成n+IGZO区域；以及制备栅极绝缘层和栅极图案层；所述采用半色调光罩对光阻进行曝光，在IGZO沟道处形成保护性光阻，进一步包括：采用半色调光罩对源/漏极与半导体接触区域的光阻部分曝光，而使IGZO沟道处光阻不曝光；以及用湿刻使IGZO形成图形后，用干刻将源/漏极与半导体接触区域的光阻刻蚀掉，IGZO沟道处的光阻变薄，形成保护性光阻；其中，在形成n+IGZO区域之后，还包括将所述保护性光阻剥离的步骤。
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