[发明专利]一种用于加速氧化硅生长在衬底表面上的化学组合物在审
| 申请号： | 201310658875.6 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103695875A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 韩庚欣;徐涛 | 申请（专利权）人： | 湖洲三峰能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/16 | 分类号： | C23C18/16;C23C18/30 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 313016 浙江省湖州市南*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种用于加速氧化硅生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0.1-25％，氨基酸类化合物0.1-15%，铵类化合物0.05-15％，表面活性剂0.001-0.05％，余量为水。该辅助化学组合物制备工艺简单、成本低廉、使用方便、重复性好，将该辅助化学组合物应用于在硅片表面生成氧化硅，制得的硅片整面色泽均匀，硅片表面氧化膜分布均匀，该组合物特别适用于光伏、电子行业，可以大大降低氧化硅在衬底表面生长所需要的温度，大大降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 加速 氧化 生长 衬底 表面上 化学 组合 | ||
【主权项】：
一种用于加速氧化硅生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0.1‑25％，氨基酸类化合物0‑15%，铵类化合物0.05‑15％，表面活性剂0.001‑0.05％，余量为水。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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