[发明专利]改善晶体内部微小杂质析出的热处理工艺有效
| 申请号： | 201310659258.8 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103681314B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 宋玮;贺贤汉;千津井 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明改善晶体内部微小杂质析出的热处理工艺，包括如下步骤第一步，待热处理炉内的温度上升稳定在1000℃，然后将硅片以150毫米/分钟～250毫米/分钟的速度推入热处理炉内；第二步，运行热处理工艺程序，当温度达到900℃时程序结束；第三步，以150毫米/分钟～250毫米/分钟的速度取出硅片在自然的条件下冷却；从第一步至第二步中持续通入纯度为99.9%的氮气。本发明改善晶体内部微小杂质析出的热处理工艺对中/高氧含量的硅片在高温热处理条件下易使其形核析出，通过工艺改善降低热处理的温度以使其形核困难或减小形核密度，再利用缩短其热处理的时间达到形核生长难，从而避免中/高氧含量硅片内部的缺陷形核析出。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 晶体 内部 微小 杂质 析出 热处理 工艺 | ||
【主权项】：
改善晶体内部微小杂质析出的热处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：第一步，待热处理炉内的温度上升稳定在1000℃，然后将硅片以150毫米/分钟～250毫米/分钟的速度推入热处理炉内,硅片高温加热的时间为10分钟；第二步，运行热处理工艺程序，处理炉内的温度是以2℃/分钟的速度下降，下降共持续50分钟,当温度达到900℃时程序结束；第三步，以150毫米/分钟～250毫米/分钟的速度取出硅片在自然的条件下冷却；从所述第一步至所述第二步中持续通入纯度为99.9％的氮气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
