[发明专利]用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器有效
申请号: | 201310659460.0 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN103872026A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | M·K·罗伊;M·J·曼努沙洛 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 何焜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请公开了用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器。本文通常描述了用于最小化超薄IC封装的产品的系统、设备和方法的实施例。在一些实施例中,装置包括安装在封装基底上的IC,以及安装在封装基底上的电容性加强件子组件。电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。 | ||
搜索关键词: | 用于 实现 超薄 其他 产品 焊盘侧 加强 电容器 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:集成电路(IC),所述集成电路(IC)安装在IC封装基底上;电容性加强件子组件,所述电容性加强件子组件安装在IC封装基底上,其中所述电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。
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