[发明专利]用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器有效

专利信息
申请号: 201310659460.0 申请日: 2013-12-09
公开(公告)号: CN103872026A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: M·K·罗伊;M·J·曼努沙洛 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 何焜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器。本文通常描述了用于最小化超薄IC封装的产品的系统、设备和方法的实施例。在一些实施例中,装置包括安装在封装基底上的IC,以及安装在封装基底上的电容性加强件子组件。电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。
搜索关键词: 用于 实现 超薄 其他 产品 焊盘侧 加强 电容器
【主权项】:
一种装置,包括:集成电路(IC),所述集成电路(IC)安装在IC封装基底上;电容性加强件子组件,所述电容性加强件子组件安装在IC封装基底上,其中所述电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。
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