[发明专利]一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜

摘要

本发明公开了一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜，包括沉积在衬底表面的种子层、以及沉积在种子层之上的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4层，其中0≤x≤1。其中，种子层具有择优取向，厚度为5～15nm；Cu2ZnSn(S1‑xSex)4层具有择优取向，厚度为0.1～2μm。种子层的材料为Cu2ZnSn(S1‑xSex)4中所含金属元素的硫化物或硒化物。与现有技术相比，本发明选择与Cu2ZnSn(S1‑xSex)4晶格错配度低的材料在衬底与薄膜之间形成具有择优取向的种子层，而后在种子层上沉积Cu2ZnSn(S1‑xSex)4层，具有择优取向的种子层能够有效的控制Cu2ZnSn(S1‑xSex)4微观组织结构，诱发Cu2ZnSn(S1‑xSex)4择优取向生长，并提高其取向度。

主权项

一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜，其特征在于，包括沉积在衬底表面的种子层、以及沉积在种子层之上的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4层，其中0≤x≤1；所述种子层具有择优取向，厚度为5～15nm；所述Cu2ZnSn(S1‑xSex)4层具有择优取向，厚度为0.1～2μm；所述种子层的材料为Cu2ZnSn(S1‑xSex)4中所含金属元素的硫化物或硒化物；所述硫化物为立方结构的ZnS、Cu2S、CuS2或Cu3SnS4；所述硒化物为立方结构的ZnSe、Cu2Se、Cu2SnSe3或Cu2SnSe4。