[发明专利]栅氧化层的制造方法在审
| 申请号： | 201310660778.0 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104701155A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 翟志刚;高文文;李凌云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括：将形成有沟槽的半导体衬底放入炉管内，通入氧气，在所述沟槽的侧壁及底部形成第一栅氧化层；向炉管中通入氮气，并升高炉管的温度；向炉管中通入氧气与催化气体，在第一栅氧化层上形成第二栅氧化层。第一栅氧化层在沟槽侧壁的厚度大于沟槽底部的厚度，第二栅氧化层因为有催化气体以及之前形成的第一栅氧化层的影响，其在沟槽侧壁的厚度小于沟槽底部的厚度，第二栅氧化层形成在第一栅氧化层之上，达到减小沟槽侧壁和底部厚度差异的问题，提高栅极氧化层的均匀性，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有沟槽；将所述半导体衬底放入炉管内，通入氧气，在所述沟槽的侧壁及底部形成第一栅氧化层；向炉管中通入氮气，并升高炉管的温度；向炉管中通入氧气与催化气体，在第一栅氧化层上形成第二栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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