[发明专利]利用二次阳极氧化铝模板制备FeMn纳米线的方法无效
| 申请号： | 201310660972.9 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103614745A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张卫国;王宏智;姚素薇 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25C5/02 | 分类号： | C25C5/02;B82Y40/00;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用二次阳极氧化铝模板制备FeMn纳米线的方法；其FeMn纳米线直径为80～120nm，长度为1～40μm。利用三电极体系进行控电位沉积；将二次阳极氧化铝膜电极置于电解液中，控电位沉积FeMn纳米线，沉积电位为-0.95～-1.15V，电解液温度为20～30℃，电解液pH值为3.0～4.0；然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗，放入烘箱烘干，得到FeMn纳米线。应用本方法制备的FeMn纳米线长度一致，排列整齐，纳米线表面光滑，并且纳米线直径长度可控。本发明设备简单，易于操作，通常在常温、常压下进行，容易实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 二次 阳极 氧化铝 模板 制备 femn 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种利用二次阳极氧化铝模板制备磁性纳米线的方法；其特征是将二次阳极氧化铝膜电极置于电解液中，控电位沉积FeMn纳米线，沉积电位为‑0.95～‑1.15V，电解液温度为20～30℃，电解液pH值为3.0～4.0；然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗，放入烘箱烘干后，得到FeMn纳米线。
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