[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体压力传感器及其制造方法，其在压力传感器区域（16）上形成有包含固定电极（18a）、空隙（50）及可动电极（30d）在内的压力传感器，在CMOS区域（17）上形成有存储器单元晶体管和场效应型晶体管。与空隙（50）连通的蚀刻孔（46b）由第1封装膜（48b）进行闭塞。空隙（50）是通过将由与存储器单元晶体管的栅极电极（23a）相同的膜构成的部分去除而形成的。可动电极（30d）由与栅极电极（30c、30a、30b）相同的膜形成。

主权项

一种半导体压力传感器，其具有：第1区域、第2区域及第3区域，它们是在半导体衬底的表面规定出的；压力传感器，其形成在所述第1区域，包含固定电极、空隙及可动电极，所述空隙配置在所述固定电极的上方，所述可动电极配置在所述空隙的上方；存储器单元晶体管，其形成在所述第2区域，包含第1电极以及配置在所述第1电极上方的第2电极作为栅极电极；场效应型晶体管，其形成在所述第3区域，包含第3电极作为另一个栅极电极；层间绝缘膜，其以覆盖所述压力传感器、所述存储器单元晶体管以及所述场效应型晶体管的方式形成；孔，其形成在所述层间绝缘膜上，与所述空隙连通；封装部，其对所述空隙进行封装；以及开口部，其形成在所述层间绝缘膜上，向所述压力传感器开口，所述空隙是通过将由与成为所述第1电极的导电膜相同的膜构成的部分去除而形成的，所述可动电极由与成为所述第2电极及所述第3电极的其他导电膜相同的膜形成。