[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310661381.3 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN104701356A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张广胜;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/22 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括衬底，衬底上的埋层，埋层上的扩散层及扩散层上的栅极；所述扩散层包括第一扩散区和第二扩散区，所述第二扩散区的杂质类型与所述第一扩散区的杂质类型相反；在所述第二扩散区内还形成有多个第三扩散区，所述第三扩散区的杂质类型与所述第二扩散区的杂质类型相反。上述半导体器件，通过在第二扩散区内形成杂质类型相反的多个第三扩散区，可以通过调整第三扩散区的大小从而实现对第二扩散区浓度的调节及控制，实现对半导体器件的阈值电压的控制，获得可变阈值的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括衬底，衬底上的埋层，埋层上的扩散层及扩散层上的栅极；所述扩散层包括第一扩散区和第二扩散区，所述第二扩散区的杂质类型与所述第一扩散区的杂质类型相反；在所述第二扩散区内还形成有多个第三扩散区，所述第三扩散区的杂质类型与所述第二扩散区的杂质类型相反。
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