[发明专利]通孔填充方法在审
| 申请号： | 201310661878.5 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104701244A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种通孔填充方法，包括提供前端结构，所述前端结构中形成有通孔；按照第一比例通入第一气体与第二气体进行第一次反应；通入缓冲气体；按照第二比例通入第一气体与第二气体进行第二次反应，以形成金属膜。通过在进行第一次反应和第二次反应之间，通入缓冲气体，能够防止在第二次反应时，反应气体对第一次反应所形成的膜层造成损坏，确保填充的质量，提升了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通孔填充方法，其特征在于，包括：提供前端结构，所述前端结构中形成有通孔；按照1:1体积比例通入WF6 气体与SiH4 气体进行第一次反应，以在所述通孔内壁上形成第一层金属膜；通入缓冲气体SiH4 ，防止第一层金属膜被破坏；按照3:1体积比例通入WF6 气体与SiH4 气体进行第二次反应，以在所述通孔内壁上形成金属膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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