[发明专利]带有金属化侧墙的半导体发光器件有效

专利信息
申请号: 201310664614.5 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN104241477B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: J·M·弗罗因德;D·L·德赖弗斯 申请(专利权)人: 安华高科技通用IP(新加坡)公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/02;H01L33/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 王田
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体发光器件包括至少部分透明的衬底、所述有源半导体结构、绝缘层以及金属层。衬底包括第一表面、第二表面以及至少一个侧墙。所述有源半导体结构包括第一表面、第二表面以及至少一个侧墙,所述有源半导体结构的第一表面面向衬底的第二表面。绝缘层包围所述有源半导体结构的至少一个侧墙的至少一部分。金属层包围绝缘层的至少一部分。所述有源半导体结构的至少一个侧墙是呈锥形,并且所述有源半导体结构的至少一个侧墙的第一部分具有与所述有源半导体结构的至少一个侧墙的第二部分不同的锥度。
搜索关键词: 带有 金属化 半导体 发光 器件
【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:至少部分透明的衬底,包括第一表面和第二表面;有源半导体结构,包括第一表面、第二表面以及至少一个侧墙,所述有源半导体结构的所述第一表面面向所述衬底的所述第二表面;绝缘层,包围所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的至少一部分;以及金属层,包围所述绝缘层的至少外侧部分;其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙呈锥形;其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的第一部分具有与所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的第二部分不同的锥度;以及其中所述有源半导体结构包括在所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分中且邻近所述有源半导体结构的所述第二表面的有源区,所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分从所述有源区延伸至所述有源半导体结构的所述第二表面,所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第二部分从所述有源区延伸至所述有源半导体结构的所述第一表面。
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