[发明专利]晶体管、制造晶体管的方法和包括该晶体管的电子器件有效
| 申请号： | 201310665394.8 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103872138B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 朴晙皙;金善载;金兑相;金炫奭;柳明官;徐锡俊;宣钟白;孙暻锡;李相润 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 包括 电子器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层，所述沟道层面对所述栅极电极，所述沟道层包括金属氮氧化物，所述沟道层包括第一区和第二区，该第一区和第二区是等离子体处理的区域并且具有比所述沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度，所述栅极绝缘层在所述沟道层和所述栅极电极之间；和源极电极和漏极电极，分别接触所述沟道层的所述第一区和所述第二区，其中所述沟道层的所述第一区和所述第二区的氧浓度小于所述沟道层的所述剩余区域的氧浓度，并且其中所述沟道层的所述第一区和所述第二区的氮浓度高于所述剩余区域的氮浓度。
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