[发明专利]一种高介电常数氧化物的制备方法

摘要

发明公开了一种高介电常数氧化物的制备方法，包括：步骤1：设定原子层沉积系统生长参数；步骤2：向原子层沉积系统反应腔体中通入金属前驱体源脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的金属前驱体源；步骤3：向原子层沉积系统反应腔体中通入水脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的水；步骤4：向原子层沉积系统反应腔体中通入臭氧脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的臭氧；步骤5：依次重复进行步骤2、步骤3和步骤4，获得高介电常数氧化物薄膜。本发明可应用于CMOS栅介质的生长过程中，有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。

主权项

一种高介电常数氧化物的制备方法，其特征在于，该方法是利用原子层沉积系统进行高介电常数氧化物的制备，该方法包括：步骤1：设定原子层沉积系统生长参数；步骤2：向原子层沉积系统反应腔体中通入金属前驱体源脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的金属前驱体源；步骤3：向原子层沉积系统反应腔体中通入水脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的水；步骤4：向原子层沉积系统反应腔体中通入臭氧脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的臭氧；步骤5：依次重复进行步骤2、步骤3和步骤4，获得高介电常数氧化物薄膜。