[发明专利]一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法

摘要

本发明创造提供一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法，所述抛光方法包括清洗抛光用具、上载抛光机抛光和清洗抛光后的掺杂硅晶圆片三个工序，本发明创造在现有抛光技术中的清洗抛光液桶的工序的基础上增加有必要的中和过程,同时改进了抛光过程中的工艺参数，使得抛光过程中抛光机械作用强度和化学作用良好匹配，从而减少硅晶圆抛光面的化学灼伤，达到抛光面化学灼伤≤0.1％的目的，得到了具有完美抛光片表面的硅晶圆片。

主权项

一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法，所述抛光方法包括清洗抛光用具、上载抛光机抛光和清洗抛光后的硅片三个工序，其特征在于，其中所述清洗抛光用具工序包括清洗抛光系统中的抛光盘和抛光液桶，具体操作步骤是：（1）先用质量分数为10‑20%的KOH溶液循环并刷洗抛光大盘，循环时间为2‑8h，大盘刷洗频率为每小时刷洗300‑600秒，然后使用醋酸溶液进行循环并刷洗抛光大盘，酸液的质量分数为2‑6%，大盘刷洗频率为大盘刷洗频率为每半小时刷洗80‑120秒，循环时间由循环液的pH控制，直至pH≤7为止；（2）先用水循环清洗抛光液桶25‑40min，然后用质量分数为10%的KOH溶液循环清洗2‑3h，之后用质量分数为2%‑6%的醋酸溶液循环清洗并测试pH值，当pH≤7时停止循环并用水循环清洗两次，每次5‑8min。