[发明专利]一种铜锌锡硫、硒粉体的制备方法有效
| 申请号： | 201310667667.2 | 申请日： | 2013-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103681934A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 秦勇;吴巍炜;窦伟 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;C01B19/00;C01G19/00 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种铜锌锡硫或铜锌锡硒或铜锌锡硫硒粉体，如：CuZnSnS4、CuZnSnSe4和CuZnSn（SxSe4-x）的制备方法。本发明的方法是：首先将铜、锌、锡的水溶性盐通过溶液反应制备出铜锌锡粉体，然后将所得到的铜锌锡粉体与硫或硒或硫硒反应得到目标产物。本发明的方法所使用的原料来源广泛，价格低廉；整个的制备工艺绿色环保，无污染产生；而且制备的粉体成分均一，无杂相。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡硫 硒粉体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫粉体的制备方法，其特征是：首先将铜、锌、锡的水溶性盐通过溶液反应制备出铜锌锡粉体，然后将所得到的铜锌锡粉体与硫反应得到目标产物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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