[发明专利]一种IGZO靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201310669559.9 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103819178A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 何建进;黄誓成;陆映东 | 申请（专利权）人： | 广西晶联光电材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) 45113 | 代理人： | 韦微 |
| 地址： | 545036 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种靶材的制备方法，特别是一种高性能IGZO靶材的制备方法。包括以下步骤：（1）将Ga2O3纳米粉体、ZnO纳米粉体与In2O3纳米粉体按原子比In：Ga：Zn=1:1~5:1~5均匀球磨混合得到IGZO粉体，添加IGZO粉体质量1%-5%的PVA进行造粒；（2）将IGZO粉体装入模具中在40～80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200-300MPa进行二次成型，然后以4-8MPa/min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯；（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/min的升温速率升温，至1300～1550℃保温烧结4～10小时，之后按降温速率0.5～1℃/min降温至950～1050℃，之后自然降温；得到IGZO靶材。本发明可以制备得到高性能IGZO靶材（高致密度、相对密度>98%，高导电性），弥补国内高性能IGZO靶材生产制作的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igzo 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IGZO靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将Ga2O3纳米粉体、ZnO纳米粉体与In2O3纳米粉体按原子比In：Ga：Zn=1: 1~5:1~5均匀混合得到IGZO粉体，然后添加IGZO粉体质量1%‑5%的粘结剂PVA进行造粒；（2）将IGZO粉体装入模具中在40～80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200‑300MPa进行二次成型，然后以4‑8MPa/ min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯，（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/ min的升温速率升温，至1300～1550℃保温烧结4～10小时，之后按降温速率0.5～1℃/ min降温至950～1050℃，之后自然降温；得到IGZO靶材。
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