[发明专利]一种半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法。在半导体衬底上形成栅介质层后，在栅介质层上由下至上依次形成第一材料层、阻挡层和第二材料层，并刻蚀第二材料层、阻挡层、第一材料层和栅介质层形成伪栅堆叠。上述技术方案中，形成的伪栅中，在栅介质层上包括三层作为伪栅材料的结构，在去除上述三层材料的伪栅结构过程中，阻挡层可作为刻蚀采用干法刻蚀高效去除第二材料层的刻蚀终点，并在去除阻挡层后，留下的第一材料层采用对于第一材料层和栅介质层具有较高刻蚀比的湿法刻蚀工艺去除，从而在保证除尽三层伪栅材料的同时，避免三层伪栅结构下方的栅介质层受到损伤。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上方形成第一材料层；在所述第一材料层上方形成阻挡层；在所述阻挡层上方形成第二材料层；依次刻蚀所述第二材料层、阻挡层、第一材料层和栅介质层，形成伪栅堆叠；刻蚀所述第二材料层，至露出所述阻挡层；去除所述阻挡层；采用湿法刻蚀工艺去除所述第一材料层，形成栅极开口；在所述栅极开口内填充满金属材料，形成栅极。