[发明专利]一种半导体器件的评估方法和RC时序测试方法有效
| 申请号： | 201310669787.6 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104699880B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 范忠;李雪;魏坤;吴盈璁;黄威森 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的评估方法和RC时序测试方法。半导体器件的评估方法中，先获取半导体器件的设计版图中各个互连线布局区域的互相连布局信息，从而获取某一特定的半导体制备工序前基底的真实布局情况；之后将互连线布局信息输入至半导体模拟模型中，并向半导体模拟模型中输入实际工艺对应的模拟参数，以获取互连线布局区域中的互连线模拟数据。上述技术方案可更好地获取半导体制备过程中，某一特定工序后基底表面实际的互连线模拟数据；并在获得互连线模拟数据后，进行RC数值模拟，从而可更为准确地获取基底的RC模拟数值，并基于所述RC模拟数值对最终形成的半导体器件性能进行质量评估。 | ||
| 搜索关键词： | 互连线 半导体器件 模拟数据 布局区域 布局信息 模拟模型 时序测试 基底 半导体 评估 半导体器件性能 半导体制备过程 半导体制备 基底表面 模拟参数 数值模拟 质量评估 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的评估方法，其特征在于，包括：提供半导体器件的设计版图，所述设计版图包括多个互连线布局区域；获取各个互连线布局区域中的互连线布局信息；将互连线布局信息输入至至少一个半导体模拟模型中，并同时向同一所述模拟模型内输入模拟参数，获取各个互连线布局区域中的互连线模拟数据；所述半导体模拟模型包括光刻模型、刻蚀模型、ECD模型和CMP模型中的一个或多个；所述模拟参数，为各个模型中，各模型工艺所采用的工艺参数；所述互连线模拟数据为执行了各模型工艺后的半导体器件的结构数据；基于所述互连线模拟数据进行RC数值模拟，获得RC模拟数值；比对所述RC模拟数值和RC标准数值，判断所述RC模拟数值是否落入RC标准数值的误差范围内，评估所述半导体器件模型。
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