[发明专利]半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块有效
| 申请号： | 201310669934.X | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103871443B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 金光镐;郑桭赫;高亨宗;卢镐星;朴浩辰;李善圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王兆赓,王彬 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块。所述半导体装置包括功能块，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 偏置 方法 系统 以及 功能块 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：功能块电路，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块电路的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压，其中，自适应体偏置产生器包括：函数产生器，被构造为基于温度信号产生连续函数类型的体偏置电压。
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