[发明专利]一种嵌入式金属膜膜厚测量装置及测量方法有效
申请号: | 201310673584.4 | 申请日: | 2013-12-10 |
公开(公告)号: | CN103700600B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 黄仁东 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种嵌入式金属膜厚测量装置及方法,该装置包括样品承载移动平台、入射臂、对称设置于样品承载移动平台上方的第一出射臂光束处理组件;入射臂用于向需检测样品中的金属膜或金属膜节点侧墙发出光源;第一出射臂用于接收平行于入射光的折射光,光束处理组件接收并处理第一出射臂发送的折射光信息,获得到达第一临界状态时间T1和到达第二临界状态时间T2,并根据入射光角度、T1、T2、第一介质层材料的折射率和移动平台的速度得到金属膜或金属膜节点的厚度。因此,本发明在保证测量金属膜膜厚结果的精准性前提下,避免了金属膜的损伤,且测试成本相对较低,十分便于与非金属测量设备相集成。 | ||
搜索关键词: | 一种 嵌入式 金属膜 测量 装置 测量方法 | ||
【主权项】:
一种嵌入式金属膜厚测量装置,用于测量嵌设在衬底样品第一介质层中的金属膜线或金属膜节点的厚度,其中,所述第一介质层下面具有第二介质层,其特征在于,包括:样品承载移动平台,沿着X或Y方向携带样品进行平行移动;入射臂,设置于所述样品承载移动平台上方,用于向需检测样品中的金属膜或金属膜节点侧墙发出光源;其中,光源发出与第一介质层表面呈一锐角的入射光;具有光电探测器的第一出射臂,用于接收平行于入射光的折射光;光束处理组件,用于接收并处理所述第一出射臂发送的折射光信息,获得到达第一临界状态时间T1和到达第二临界状态时间T2,并根据入射光角度、T1、T2、第一介质层材料的折射率和移动平台的速度得到金属膜或金属膜节点的厚度;其中,第一临界状态时间T1为第一出射臂检测到折射光的时间,第二临界状态时间T2为第一出射臂检测到折射光消失的时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造