[发明专利]全新光敏高温熔体压力传感器接收LED晶片

摘要

本发明全新光敏高温熔体压力传感器接收LED晶片发光面是圆盖形状的，光分布是很特殊的，所以在不同的测量距离下，光强值会变化，偏离距离平方反比定律，即使固定了测量距离，但是由于接受器接受面积不同，其光强值也会变化。因此，为了提高测量精度，应该把测量距离和接受面积大小相对地给予固定为好。例如，测量距离按照GIE推荐采用316mm，接受器面积固定为10×10mm。在同一测量距离下，LED转角不同，其光强也相应地有变化，因此为了获得最佳值，最好读出最大读数Rt为佳。

主权项

全新光敏高温熔体压力传感器接收LED晶片用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管；日本厂商方面也有其它许多叫法；通过施加反向电压， ；使其PN结的静电容量发生变化；因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途；通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大；结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作；对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增；频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率；阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显着地短；如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波；是代替稳压电子二极管的产品；被制作成为硅的扩散型或合金型；是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管；作为控制电压和标准电压使用而制作的；二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级；在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品；工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型；.PIN型二极管（PIN Diode）这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管；PIN中的I是本征意义的英文略语；当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和本征层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变；在零偏置或直流反向偏置时，本征区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入本征区，而使本征区呈现出低阻抗状态；因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用；它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中；雪崩二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管；产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡；它常被应用于微波领域的振荡电路中；它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管；其基底材料是砷化镓和锗；其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）；隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生；发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性；江崎二极管为双端子有源器件；其主要参数有峰谷电流比（IP/PV），其中，下标P代表峰；而下标V代表谷；江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中；快速关断（阶跃恢复）它也是一种具有PN结的二极管；其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成自助电场；由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个存贮时间后才能降至最小值（反向饱和电流值）；阶跃恢复二极管的自助电场缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量；利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路；快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中；肖特基二极管 ；  二极管电路它是具有肖特基特性的金属半导体结的二极管；其正向起始电压较低；其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料；其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体；这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多；由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件；其工作频率可达100GHz；并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。