[发明专利]借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强在审
| 申请号： | 201310674054.1 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103869597A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | G·宁;C·王;P·阿克曼;S·坦格拉朱 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强，所揭示的是一种掩模，其包括置于掩模的第一侧上的多个第一相移区、以及置于掩模的第二侧上的多个第二相移区。第一相移区和第二相移区可为交替的相移区，其中第一相移区的相移与第二相移区的相移具有例如180度的相差。还揭示一种用于形成掩模的方法、以及使用掩模的半导体制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 掩模多侧 半导体设备 分辨率 增强 | ||
【主权项】：
一种掩模，包含：置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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