[发明专利]使用可变电阻元件的非易失性存储器及其相关的驱动方法有效
| 申请号： | 201310675018.7 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103871466B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李升妍;李永宅;金甫根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器的驱动方法。所述驱动方法包括将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证数据是否被准确地被写入；以及根据验证结果，通过增量单向写入方法或者减量单向写入方法来执行对于电阻存储器单元的写操作。还提供了相关的非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 可变 电阻 元件 非易失性存储器 及其 相关 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器的驱动方法，所述驱动方法包括：将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证所述数据是否被准确地写入；以及使用第一验证参考值和第二验证参考值来执行所述验证，如果验证电阻存储器单元的电阻值小于第一验证参考值，则通过增量单向写入方法来在电阻存储器单元上执行写操作，如果验证电阻存储器单元的电阻值大于第二验证参考值，则通过减量单向写入方法来在电阻存储器单元上执行写操作，并且第一验证参考值小于第二验证参考值。
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