[发明专利]一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法在审
| 申请号： | 201310676287.5 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103700660A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;李耀耀;龚谦;程新红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成，设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够更好的满足10nm以下技术节点对器件性能提出的更高要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全环栅 cmos 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅基三维纳米线阵列的全环栅CMOS场效应晶体管，包括硅基底，其特征在于，所述硅基底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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