[发明专利]超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法

摘要

超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域。包括以下步骤：（1）将柔性基带安装在两个转盘之间；（2）将长400毫米，宽40毫米，厚度5毫米的锰镧合金靶分别安置在对靶上，基带正反面分别与对靶上的锰镧合金靶相对；（3）将生长室抽背底真空至1×10-3Pa以下，对基带加热，使温度保持在750℃左右，充入氩气至0.5Pa并维持，再用U型进气管充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa氧气；（4）开启中频电源，在靶材附近形成辉光区域；（5）步进电机带动基带匀速通过辉光区域沉积薄膜；（6）关闭溅射。本发明采用中频溅射和超长对靶结构，提高了薄膜的沉积速率，有利于长带材的快速、连续制备。

主权项

一种超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法，包括以下步骤：（1）将柔性基带（2）安装在第一转盘（1）和第二转盘（8）之间；（2）将长为400毫米，宽为40毫米，厚度为5毫米的锰镧合金靶分别安置在对靶（4）上，其中锰镧合金靶中锰镧原子比为1:1，两个转盘之间的基带正反面分别与对靶（4）上的锰镧合金靶相对；（3）将生长室（9）抽背底真空至1×10‑3Pa以下，对基带（2）进行加热，使温度始终保持在750℃左右，向生长室（9）内充入氩气至0.5Pa并维持，再利用U型进气管充入1.2×10‑3到2.5×10‑3Pa的氧气作为反应气体；（4）采用中频作为溅射电源，开启中频电源（12），在靶材附近形成等离子轰击金属锰镧合金靶材形成辉光区域；（5）开启步进电机，使基带以25‑50米/小时的速度匀速通过辉光（5）区域沉积LaMnO3薄膜；（6）关闭中频电源，停止对基片加热，自然降温即可得到LaMnO3薄膜。