[发明专利]Ge掺杂的α相三氧化二铁纳米片阵列薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310676890.3 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103693861A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 梁长浩;刘俊;叶一星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;B01J23/835 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ge掺杂的α相三氧化二铁纳米片阵列薄膜的制备方法，首先以水热法在FTO导电玻璃基底上制备β-FeOOH纳米棒阵列薄膜；然后以阵列薄膜为基底模板，以采用液相激光熔蚀（LAL）得到的Ge纳米胶体溶液为杂质原子Ge的反应前驱体，经过水热处理，获得Ge掺杂的α-Fe2O3纳米片阵列薄膜。工艺简单、成本低，能够在实现掺杂的同时，有效控制α-Fe2O3的纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | ge 掺杂 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ge掺杂的α相三氧化二铁纳米片阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、以水热法在FTO导电玻璃基底上制备β‑FeOOH纳米棒阵列薄膜；B、以所述β‑FeOOH纳米棒阵列薄膜为基底模板，以Ge纳米胶体溶液为杂质原子Ge的反应前驱体，经过水热处理，获得Ge掺杂的α‑Fe2O3纳米片阵列薄膜。
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