[发明专利]短沟道沟槽式金属氧化物半导体场效应管在审
| 申请号： | 201310680613.X | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103872133A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有短沟道的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，可以降低沟道电阻。其中，在体区下方的外延层中包括至少一个场释放区，其自对准于沟槽式源-体接触区，可以防止发生漏-源之间的穿通现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种沟槽式MOSFET，具有短沟道结构，其形成于第一导电类型的外延层中，并位于第一导电类型的衬底之上，该沟槽式MOSFET进一步包括：多个栅沟槽，位于有源区中，从所述外延层的上表面垂直向下延伸，每个所述的栅沟槽都填充有一个栅电极并衬有一层栅极氧化层；第二导电类型的体区，位于所述外延层的上部分，并位于每两个相邻的所述栅沟槽之间；第一导电类型的源区，包含于所述体区中；至少一个第二导电类型的场释放区，位于每个所述的体区下方，并位于每两个相邻的所述栅沟槽之间的外延层中。
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