[发明专利]一种线性恒流器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种线性恒流器件，由P型硅片制作而成，具有结构简单、设计制作成本低、使用方便的优点。其制作方法主要包括：P型衬底准备；P型外延层生长；氧化层生长；RING区光刻、离子注入、推阱；NWELL光刻、离子注入、推阱；场氧化层生长；有源区光刻；栅区光刻、离子注入、推阱；N-区光刻、离子注入；N+区光刻、离子注入、推阱；表面BPSG钝化；接触孔光刻、刻蚀；金属淀积、光刻、刻蚀；合金、退火；背面减薄和低温退火等，采用外沿N阱注入工艺，在生产时能够精确控制JFET的电流大小和恒流特性，具有工艺简单易行、恒流特性好、器件工作电压范围广等优点。

主权项

 一种线性恒流器件，包括P型硅片，其特征在于：所述P型硅片的背面为金属化阴极电极、正面生长有P型外延层，所述P型外延层上有RING区和NWELL区，所述NWELL区中有若干并排的N‑区，每个所述N‑区的中间有N+区，每相邻两个所述N‑区之间有一个栅区，所述N+区以间隔的方式分别与阳极电极或金属电极Ⅰ相连；所述NWELL区还设有一个大的N+区，该大的N+区一端、与其相邻的N+区及其之间的NWELL区的表面与金属电极Ⅱ相连，该大的N+区另一端、P型外延层一端RING区及其之间的NWELL区和P型外延层的表面与金属电极Ⅲ相连，整个所述P型外延层表面除阳极电极、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ和金属电极Ⅲ覆盖的区域外所有区域覆盖有氧化层。