[发明专利]具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201310682616.7 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104716043A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 黄凯;杨龙;李红变;方英 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/683;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李婉婉;张苗 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管的制备方法，包括：在硅片上涂覆水溶性分子薄膜，然后在所述水溶性分子薄膜上制备第一电极；在所述水溶性分子薄膜上形成石墨烯层，所述石墨烯层不覆盖所述第一电极，并对石墨烯层进行电子束曝光，然后在所述水溶性分子薄膜上制备第二电极，以得到石墨烯场效应晶体管；第二电极用于连接第一电极和石墨烯，并且第二电极的位置不同于第一电极的位置；在硅片上具有所述石墨烯场效应晶体管的一面上涂覆非水溶性分子薄膜，得到石墨烯器件；将所述石墨烯器件与水接触，使得所述石墨烯器件的硅片脱离，从而得到具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管。采用如上的技术方案得到的具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管性能优越，并且操作简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 柔性 基底 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管的制备方法，该方法包括：（1）在硅片上涂覆水溶性分子薄膜，然后在所述水溶性分子薄膜上制备第一电极；（2）在所述水溶性分子薄膜上形成石墨烯层，所述石墨烯层不覆盖所述第一电极，并对石墨烯层进行电子束曝光，然后在所述水溶性分子薄膜上制备第二电极，以得到石墨烯场效应晶体管；第二电极用于连接第一电极和石墨烯，并且第二电极的位置不同于第一电极的位置；（3）在硅片上具有所述石墨烯场效应晶体管的一面上涂覆非水溶性分子薄膜，得到石墨烯器件；（4）将所述石墨烯器件与水接触，使得所述石墨烯器件上的硅片脱离，从而得到具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
