[发明专利]具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端有效
申请号: | 201310682934.3 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103647565A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 段宗明;李智群;王曾祺;王晓东;马强 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | H04B1/16 | 分类号: | H04B1/16;H04W52/52;H03G3/30 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 胡敏 |
地址: | 230001*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端,其包括射频单端-差分转换电路、本振单端-差分转换电路、吉尔伯特(Gilbert)混频电路、可变增益放大器、输出驱动电路、基于带隙基准源的电流偏置电路、增益自动控制电路。射频单端-差分转换电路、本振单端-差分转换电路分别将输入的单端接收信号和本振信号转换为差分信号,驱动Gilbert混频电路的差分输出接到可变增益放大器,然后通过输出驱动电路进行差分-单端转换,最后中频输出。电流偏置电路输出五路基准电流Iref1~Iref5,分别送至Gilbert混频电路、可变增益放大器、输出驱动电路、增益自动控制电路的尾电流管电路进行电流偏置。 | ||
搜索关键词: | 具有 工作 增益 自动控制 功能 cmos 射频 接收 前端 | ||
【主权项】:
具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端,其用于在宽温工作条件下CMOS射频接收前端芯片增益自动控制技术的实现,该具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端包括射频单端‑差分转换电路、本振单端‑差分转换电路、吉尔伯特(Gilbert)混频电路、可变增益放大器、输出驱动电路、基于带隙基准源的电流偏置电路;其特征在于:该具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端还包括增益自动控制电路,该射频单端‑差分转换电路、该本振单端‑差分转换电路分别将输入的单端接收信号和本振信号转换为差分信号,驱动该Gilbert混频电路中所设计的双平衡Gilbert混频器,该混频器的差分输出接到该可变增益放大器,然后通过该输出驱动电路进行差分‑单端转换,最后中频输出;该电流偏置电路输出五路基准电流Iref1~Iref5,分别送至该Gilbert混频电路、该可变增益放大器、该输出驱动电路、该增益自动控制电路的尾电流管电路进行电流偏置;该增益自动控制电路包括误差放大器和电压相加电路,该电压相加电路包括电阻R1~R5,该误差放大器包括MOS管M1~M6、双极晶体管Q1、电阻R6~R7、双向常开开关k;MOS管M6的源极连接该电流偏置电路接收基准电流Iref5,MOS管M6的漏极接地,MOS管M6的栅极连接MOS管M5的栅极,MOS管M5的漏极接地,MOS管M5的源极、MOS管M1的源极、MOS管M2的源极三者连接,MOS管M1的栅极、电阻R6的一端、电阻R7的一端三者连接,电阻R7的另一端电性接地,电阻R6的另一端连接电源VDD,MOS管M1的源极连接MOS管M3的漏极,MOS管M3的源极连接电源VDD,MOS管M3的栅极连接MOS管M3的漏极且还连接MOS管M4的栅极,MOS管M4的源极连接电源VDD,MOS管M4的漏极连接MOS管M2的源极且还连接双向常开开关k的常开触点Ka,MOS管M2的栅极连接双极晶体管Q1的发射极,双极晶体管Q1的基极连接双极晶体管Q1的集电极,双极晶体管Q1的集电极接地,双极晶体管Q1的发射极还连接该电流偏置 电路接收基准电流Iref4,电阻R2的两端K1、K2分别连接双向常开开关k的常开触点Kb、固定触点Kc,电阻R2的一端K1经由电阻R1连接电源VDD,电阻R2的另一端K2经由电阻R3接地还依次经由电阻R4、电阻R5连接外接电压VC,电阻R4与电阻R5之间引出电压控制端Vcont,电压控制端Vcont连接该可变增益放大器用于调节该可变增益放大器。
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