[发明专利]具有极化补偿机制的氮化物量子阱、激光器及发光二极管

摘要

本发明涉及一种具有极化补偿机制的氮化物量子阱，包括交替层叠生长的多层势阱层和多层势垒层，其特征在于：所述势阱层材料为InyGa1-yN或AlyGa1-yN，其中0＜y＜0.6，所述势阱层材料中y的取值在量子阱生长方向从低向高或从高向低连续渐变，且y值沿生长方向z的变化关系满足式Ⅰ，（Ⅰ）式中：E表示量子阱中的总极化电场，Eg,InN为氮化铟材料的能带宽度，Eg,GaN为氮化镓材料的能带宽度。这样的氮化物量子阱能够抵消量子阱内的极化电场对量子阱的扭曲，从而提高量子阱中导带电子的包络波函数与价带孔穴的包络波函数的空间重叠程度，使得量子阱内的电子与孔穴在空间上的偶合增加。

主权项

1.一种具有极化补偿机制的氮化物量子阱，包括交替层叠生长的多层势阱层和多层势垒层，其特征在于：所述势阱层材料为In_yGa_1-yN或Al_yGa_1-yN，其中0＜y＜0.6，所述势阱层材料中y的取值在量子阱生长方向从低向高或从高向低连续渐变，且y 值沿生长方向z的变化关系满足式Ⅰ，（Ⅰ）式中：E表示量子阱中的总极化电场，E_g,InN为氮化铟材料的能带宽度，E_g,GaN为氮化镓材料的能带宽度。