[发明专利]复合快恢复二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种复合快恢复二极管的制备方法，(1)、氧化、光刻有源区，(2)、N型杂质离子注入，(3)、N推结，(4)、P区注入窗口形成，(5)、P型杂质离子注入，(6)、推结；(7)、肖特基区形成；(8)、金属膜淀积；(9)、背面减薄；(10)、背面金属化，制得复合快恢复二极管。本发明复合快恢复二极管具有正向压降一致性好、雪崩耐量能力高、恢复特性好的特点。

主权项

1.一种复合快恢复二极管的制备方法，其特征在于：(1)、氧化、光刻有源区：对带有外延层的硅片清洁处理后进行氧化处理，在硅片正面形成场氧化层，然后在硅片正面经光刻、腐蚀出有源区窗口,所述外延层的厚度在5～80μm；(2)、N型杂质离子注入：用离子注入机将N型杂质离子注入到有源区，注入能量为：100～500kev，注入剂量1E12～5E14cm‑2；(3)、N推结：将硅片放入高温扩散炉中对N型杂质离子进行推结以形成N型的电荷积累区，在推结过程中通入氧气，在有源区内形成的氧化层，所述N型杂质离子在推结过程中结深控制在2～8μm；(4)、P区注入窗口形成：在有源区内经光刻胶曝光、腐蚀出三个以上的P型注入窗口；(5)、P型杂质离子注入：用离子注入机将P型离子注入到有源区并形成三个以上的P型区，注入能量为：30～180kev，注入剂量1E13～5E15cm‑2；(6)、推结：将硅片置入高温扩散炉中，对P型区及电荷积累区进行推结，并光刻腐蚀干净有源区内的氧化层，所述P型离子推结过程中结深控制在2～7μm，P型区与电荷积累层区之间的距离在(7)、肖特基区形成：用Ni和Pt、或Mo、或Pd用溅射或蒸发在硅片正面形成过渡金属膜，经合金和剥离后形成肖特基接触，在各P型区之间形成肖特基区；(8)、金属膜淀积：再在硅片正面溅射或蒸发或电镀金属膜，经光刻、合金形成欧姆接触；(9)、背面减薄：用磨片机或喷砂将硅片背面减薄至所需厚度；(10)、背面金属化：用蒸发或溅射法在硅片背面制作背面金属层，形成金属阴极层，制得复合快恢复二极管。