[发明专利]有效降低功耗的IGBT器件的制作方法在审
| 申请号： | 201310684374.5 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104716040A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李娜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效降低功耗的IGBT器件的制作方法，包括：1）在完成IGBT的正面工艺后，对晶圆的背面进行减薄，然后，通过对减薄的背面进行施主杂质离子注入掺杂，形成作为场终止作用的N型缓冲层；2）对背面进行受主杂质离子注入掺杂，形成P型集电极层；3）对背面进行激光退火，激活背面注入的N型缓冲层与P型集电极层。本发明在保证耐压等参数的基础上实现了更薄的N-base区，从而降低了器件的导通压降，实现了其耐压与导通压降的更佳的“优值”匹配，并且由于其电流密度的提高，使得其器件尺寸可以相应的缩小，实现了其成本的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 降低 功耗 igbt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种降低功耗的绝缘栅双极晶体管IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：1）在完成绝缘栅双极晶体管IGBT的正面工艺后，对晶圆的背面进行减薄，然后，通过对减薄的背面进行施主杂质离子注入掺杂，形成作为场终止作用的N型缓冲层；2）对背面进行受主杂质离子注入掺杂，形成P型集电极层；3）对背面进行激光退火，激活背面注入的N型缓冲层与P型集电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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