[发明专利]三维多层阻变存储器在审
| 申请号： | 201310684491.1 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104716259A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 苏波;刘凯;张可钢;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维多层阻变存储器，包括：1个制作在硅片上的选通管和至少2个堆叠在2层金属层之间的存储电阻；每个存储电阻一端通过所述2层金属层中的底金属层连接所述选通管漏端，另一端连接所述2层金属层中的顶金属层分别作为该阻变存储器的位线；所述选通管其栅端作为该阻变存储器的字线，其源端作为该阻变存储器的源线。本发明的三维多层阻变存储器在提高阻变存储器存储密度的同时相对传统阻变存储器在面积上具有较大优势。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 多层 存储器 | ||
【主权项】：
一种三维多层阻变存储器，其特征在于，包括：1个制作在硅片上的选通管和至少2个堆叠在2层金属层之间的存储电阻；每个存储电阻一端通过所述2层金属层中的底金属层连接所述选通管漏端，另一端连接所述2层金属层中的顶金属层分别作为该阻变存储器的位线；所述选通管其栅端作为该阻变存储器的字线，其源端作为该阻变存储器的源线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司;，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310684491.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
