[发明专利]用于离子源的磁场源有效

专利信息
申请号: 201310684726.7 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN104051208B 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 萨米·K·哈托;滨本成显 申请(专利权)人: 日新离子机器株式会社
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J37/141
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 戚传江,谢丽娜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于离子源的磁场源。提供了一种离子源,包括电离室和两个磁场源。电离室具有贯穿其延伸的纵轴并且包括两个相对的室壁,每个室壁平行于纵轴。两个磁场源各自包括(i)芯和(ii)大致缠绕芯的线圈。每一磁场源与相对的室壁中相应一个的外部表面对准并与其接近,并且取向大致平行于纵轴。磁场源的芯彼此在物理上分开并且电隔离。
搜索关键词: 用于 离子源 磁场
【主权项】:
一种离子源,包括:电离室,所述电离室具有贯穿其延伸的纵轴并且包括两个相对的室壁,每个室壁平行于所述纵轴;以及两个磁场源,每个磁场源包括(i)芯和(ii)缠绕所述芯的线圈,其中,每个磁场源与所述相对的室壁中相应一个的外部表面对准并且与其接近,并且取向平行于所述纵轴,所述两个磁场源能够关于包括平行于所述纵轴的所述电离室的中心轴的平面对称,其中,所述磁场源的所述芯彼此在物理上分开并且电隔离,其中,每个磁场源的所述线圈包括多个线圈段,并且其中,所述离子源进一步包括控制电路,用于分开地调整供应到每个线圈段的电流。
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