[发明专利]高效率FinFET二极管有效
| 申请号： | 201310684897.X | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103915486A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 范学实;张胜杰;胡嘉欣;梁铭彰;吴显扬;谢文兴;黄靖方 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 finfet 二极管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有相对的第一末端和第二末端；由一个或多个基本平行、细长且相等数量的半导体鳍结构组成的第一组鳍结构和第二组鳍结构，在所述衬底之上设置为分别与所述第一末端和所述第二末端相邻，所述第一组鳍结构和所述第二组鳍结构彼此间隔开；一个或多个基本等距并平行的细长的栅极结构，形成在所述第一组鳍结构和所述第二组鳍结构之上，使得每个栅极结构均垂直横过所述第一组鳍结构和所述第二组鳍结构；多个电介质带，交织设置在所述第一组鳍结构和所述第二组鳍结构之间用于使它们彼此之间电绝缘；第一组半导体带，由一个或多个掺杂半导体带组成，具有第一导电类型且分别纵向地形成在所述第一组鳍结构之上；以及第二组半导体带，由一个或多个第二掺杂半导体带组成，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型且分别纵向地形成在所述第二组鳍结构之上，其中，所述第一组半导体带与所述第二组半导体带电绝缘。
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