[发明专利]PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法无效
| 申请号： | 201310688131.9 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103745902A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘凤举 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法，所述装置包括：沉积盒以及设置在沉积盒内的第一电极、第二电极；所述沉积盒内部为处理腔，一进口以及一出口分别设置在所述沉积盒的第一侧壁以及第二侧壁，一阀门设置在所述沉积盒的第三侧壁上，所述出口设置在所述第二侧壁一侧与所述第三侧壁相邻；在处理腔内部设置有第一电极，第一电极与RF电源连接，其一端与所述阀门的位置相对应且与所述出口相邻；还设置有一电极调节装置，该电极调节装置用于调节所述第一电极与所述第二电极之间的相对角度以使第一电极与第二电极之间的等离子体气流均匀，消除因阀门和出口的设置使气流偏移引起的厚度不均匀问题。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 处理 装置 基板上 进行 方法 | ||
【主权项】：
一种PECVD处理装置，其特征在于，包括：沉积盒（100），设置有一处理腔（110），一进口（120）以及一出口（160）分别设置在所述沉积盒（100）的第一侧壁（101）以及第二侧壁（102），一阀门（150）设置在所述沉积盒（100）的第三侧壁（103）上，所述出口（160）设置在所述第二侧壁（102）一侧与所述第三侧壁（103）相邻；第一电极（140），与电源（130）连接，其一端与所述阀门（150）的位置相对应且与所述出口（160）相邻；第二电极（170），与所述第一电极（140）对置；电极调节装置（190），用于调节所述第一电极（140）与所述第二电极（170）之间的相对角度以使第一电极（140）与第二电极（170）之间的等离子体气流均匀。
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