[发明专利]一种射频功率放大器系统及照明设备有效

专利信息
申请号: 201310689022.9 申请日: 2013-12-16
公开(公告)号: CN103618507B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 杨宏宇 申请(专利权)人: 北京美电环宇科技有限公司
主分类号: H03F3/189 分类号: H03F3/189;H03F3/20;H05B41/282
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 吴开磊
地址: 100041 北京市石景山区八*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种射频功率放大器系统及照明设备,其中射频功率放大器系统包括依次串接的第一级功率放大电路、第二级功率放大电路和第三级功率放大电路;所述第一级功率放大电路主要包括铟镓磷应变高电子迁移率晶体管;所述第二级功率放大电路主要包括砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器;所述第三极功率放大电路主要包括LDMOS晶体管。本发明提供的射频功率放大器系统,结构简单成本低廉,工作稳定,可保障大功率输出,因此保证了照明设备系统功率要求和安全可靠运行。
搜索关键词: 一种 射频 功率放大器 系统 照明设备
【主权项】:
一种射频功率放大器系统,其特征在于,包括依次串接的第一级功率放大电路、第二级功率放大电路和第三级功率放大电路;所述第一级功率放大电路包括铟镓磷应变高电子迁移率晶体管;所述第二级功率放大电路包括砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器;所述第三级功率放大电路包括LDMOS晶体管;所述第一级功率放大电路还包括电容器C1、电容器C2和电容器C3;所述电容器C1的正极连接约为1毫瓦的射频功率输入,所述电容器C1的负极连接所述铟镓磷应变高电子迁移率晶体管的输入端,所述铟镓磷应变高电子迁移率晶体管的一个输出端连接电容器C3的正极,另一输出端连接电容器C2的正极,所述电容器C2的负极分别连接电容器C3的正极和5伏特的偏置电压;所述第二级功率放大电路还包括电容器C5、电容器C6、电容器C7、电容器C8、阻抗Z1和阻抗Z2,其中:所述第一级功率放大电路中的电容器C3的负极连接所述第二级功率放大电路中的电容器C6的正极,所述电容器C6的负极分别连接电容器C5的正极和阻抗Z1的输入端,所述阻抗Z1的输出端连接所述砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器的输入端,所述砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器的输出端连接阻抗Z2的输入端,所述阻抗Z2的输出端连接分别连接电容器C7的正极和电容器C8的正极以及5伏特的偏置电压;所述电容器C7的负极、电容器C5和所述砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器的另一输出端均接地;所述第三级功率放大电路还包括电容器C5、电容器C6、电容器C9、电容器C10、电容器C11、电容器C12、电容器C13、电容器C15、电容器C16、阻抗Z3、阻抗Z4、阻抗Z5、阻抗Z6、阻抗Z7、阻抗Z8和电感器L4、电感器L5、电感器L8,其中:所述第二级功率放大电路中的电容器C8的负极连接所述第三级功率放大电路中的电容器C6的正极,所述电容器C6的负极分别连接阻抗Z3的输入端和电容器C16的正极,所述阻抗Z3的输出端分别连接电容器C5的正极和阻抗Z4的输入端,所述阻抗Z4的输出端连接分别连接电感器L8的输入端和阻抗Z5的输入端;所述电感器L8的输出端连接分别连接电容器C15的正极和3伏特的偏置电压,所述阻抗Z5的输出端连接LDMOS晶体管的栅极,所述LDMOS晶体管的漏极连接阻抗Z6的输入端,所述阻抗Z6的输出端分别连接电容器C9的正极和阻抗Z7的输入端,所述电容器C9的负极连接电感器L4的输入端;所述阻抗Z7的输出端分别连接电感器L5的输入端、电容器C11的正极和阻抗Z8的输入端,所述电感器L5的输出端分别连接电容器C10的正极和28伏特的偏置电压;所述阻抗Z8的输出端分别连接电容器C12的正极和电容器C13的正极;所述电容器C16的负极、电容器C5的负极、所述LDMOS晶体管的源极、电容器C10的负极、电容器C11的负极、电容器C12的负极、电容器C15的负极以及电感器L4的输出端均接地。
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