[发明专利]顺序串接式多芯片的内存结构有效
申请号: | 201310690151.X | 申请日: | 2013-12-17 |
公开(公告)号: | CN104425000B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 林正隆 | 申请(专利权)人: | 森富科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/18 | 分类号: | G11C7/18 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为;袁颖华 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种顺序串接式多芯片的内存结构,用以进行1600MHz以上及1600MHz以下的数据传输,其包含有基板;数个以数组方式设置于基板至少一面上的内存晶粒,各内存晶粒分别具有控制地址单元;以顺序串接内存晶粒方式连接各控制地址单元的布局线路;设于布局线路一端的处理单元;以及设于布局线路一端的反射讯号吸收单元。藉此,可利用该顺序串接内存晶粒的布局线路,大幅缩短各内存晶粒与布局线路间的距离,并同时使各控制地址单元间的布局线路缩短,而达到有效缩短线路布局以及简化线路设计的功效。 | ||
搜索关键词: | 顺序 串接式多 芯片 内存 结构 | ||
【主权项】:
1.一种顺序串接式多芯片的内存结构,用以进行1600MHz以上及1600MHz以下的数据传输,其特征在于,其包括有基板、数个内存晶粒、布局线路、处理单元及反射讯号吸收单元,该内存晶粒以数组方式设置于基板的至少一面上,而各内存晶粒分别具有控制地址单元;该布局线路以顺序串接内存晶粒的Ω字形排列方式连接各内存晶粒的控制地址单元;该处理单元设于布局线路的一端;该反射讯号吸收单元设于布局线路的另一端。
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