[发明专利]一种测试方法和测试结构在审
| 申请号： | 201310693671.6 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104716124A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张步新;蔡孟峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测试方法和测试结构，涉及半导体技术领域。本发明的测试方法，通过形成包括设计值相同的至少两个电容的测试结构并对该至少两个电容的实际值进行比较，可以比较准确地判断进行图形化的工艺是否发生偏移，通过这一方法可以监测和控制交叠和间距问题，方法简单有效。本发明的测试结构，可以用于上述测试方法，对进行图形化的工艺是否发生偏移进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种测试方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤S101：利用第一掩膜和第二掩膜对导电膜层进行图形化以形成功能图案与测试结构，所述测试结构包括与所述第一掩膜相对应的第一导线以及与所述第二掩膜相对应且分别位于所述第一导线两侧的第二导线和第三导线，其中，所述第一导线与所述第二导线之间形成第一电容，所述第一导线与所述第三导线之间形成第二电容，并且，所述第一电容的设计值与所述第二电容的设计值相同； 步骤S102：测量所述第一电容的实际值C1与所述第二电容的实际值C2； 步骤S103：比较所述第一电容的实际值C1与所述第二电容的实际值C2是否相同，并根据比较的结果对所述进行图形化的工艺是否发生偏移进行判断。
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