[发明专利]一种高比容电极薄膜及其制造方法无效
| 申请号： | 201310694326.4 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103680994A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;袁文涛;杨晓洁;杨文耀;徐建华;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G11/32 | 分类号： | H01G11/32;H01G11/86 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造高比容电极薄膜的方法，包括：采用LB膜法沉积氧化石墨烯LB膜，并将其还原为还原氧化石墨烯；然后采用电化学方法在还原氧化石墨烯表面沉积金属氧化物层；最后采用化学气相聚合沉积方法在金属氧化物上沉积导电聚合物层，从而获得一种高比容复合电极薄膜。该方法制备的高比容电极薄膜中，以还原氧化石墨烯为基体，具有较高的比表面积，然后分别沉积金属氧化物和导电聚合物，使得电极薄膜材料同时具有双电层电容和赝电容，从而可以大大增加电极的比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 比容 电极 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造高比容电极薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤A：将氧化石墨烯材料分散于有机溶剂中，获得氧化石墨烯分散液；步骤B：将所述氧化石墨烯分散液铺展于LB膜槽中的去离子水表面，并采用LB成膜方法将氧化石墨烯转移沉积至基片表面；步骤C：将所述基片上的氧化石墨烯还原为还原氧化石墨烯；步骤D：用电化学沉积方法在所述还原氧化石墨烯表面沉积金属氧化物；步骤E：用化学气相沉积方法在所述金属氧化物层上沉积导电聚合物。
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