[发明专利]深孔电镀的预处理方法有效
| 申请号： | 201310694379.6 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103726085A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李明;凌惠琴;孙琪;曹海勇;李义 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D7/12;C25D7/04 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 牛山;陈少凌 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深孔电镀的预处理方法，包括如下步骤：步骤（1）选择待镀的具有一个或多个深孔的半导体芯片，选择纯水，并冷却；步骤（2）将所述半导体芯片进行抽真空处理；步骤（3）将所述半导体芯片在真空下浸泡在所述纯水中；步骤（4）将所述半导体芯片使用镀液浸泡、小电流刺激；步骤（5）将所述半导体芯片使用上述镀液进行电镀。本发明使深孔与镀液充分接触，减少大深宽比的孔径中残留的气泡，有效减少空隙和接缝等缺陷的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 预处理 方法 | ||
【主权项】：
一种深孔电镀的预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤（1）选择待镀的具有一个或多个深孔的半导体芯片，选择纯水，并冷却；步骤（2）将所述半导体芯片进行抽真空处理；步骤（3）将所述半导体芯片在真空下浸泡在所述纯水中；步骤（4）将所述半导体芯片使用镀液浸泡、小电流刺激；步骤（5）将所述半导体芯片使用上述镀液进行电镀。
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