[发明专利]非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。此非挥发性记忆体包括衬底、穿隧介电层、浮置栅极、多个保护层、控制栅极以及栅间介电层。衬底具有主动区。穿隧介电层配置于主动区中的衬底的表面上。浮置栅极配置于穿隧介电层上。多个保护层分别配置于浮置栅极的部分侧壁上。控制栅极覆盖浮置栅极的顶面与部分侧壁以及每一保护层的至少一部分。栅间介电层配置于浮置栅极与控制栅极之间以及配置于保护层与控制栅极之间。

主权项

1.一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：一衬底，具有一主动区；一穿隧介电层，配置于该主动区中的该衬底的表面上，且该穿隧介电层并不会形成于衬底的角落处；一浮置栅极，配置于该穿隧介电层上；多个保护层，分别配置于该浮置栅极的部分侧壁上，且该保护层覆盖于部分穿隧介电层之上；一控制栅极，覆盖该浮置栅极的顶面与部分侧壁以及每一该些保护层的至少一部分；以及一栅间介电层，配置于该浮置栅极与该控制栅极之间以及配置于该些保护层与该控制栅极之间；其中，该衬底中具有多个隔离结构，该些隔离结构定义出该主动区，且该主动区中的该衬底的表面与该些隔离结构的顶面的高度差小于200埃；该保护层的顶面高于该隔离结构的顶面；该栅间介电层覆盖该浮置栅极的顶面与部分侧壁、每一保护层的一部分以及该隔离结构，该控制栅极也覆盖该浮置栅极的顶面与部分侧壁、每一保护层的一部分以及该隔离结构。